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主題RAM記憶體內存條設定名詞解釋
主題內容

CAS Latency Time
在電腦主機板BIOS記憶體的時序中,CAS Latency Time是其中重要的記憶體參數之一,CAS Latency是指從已定的行址到達暫存器所需的時脈循環數,大部份記憶體都會將它預設在3或是2.5之間。循環數設定得越低就代表運行速度越高,質素高的記憶體可超至2.0,從而提高記憶體效能。

RAS
這個項目有時會以「RAS Active Time」代表,即是存取記憶體中未定位址的列資料前,所需要的延遲時間,亦即是由啟動到預充電的時間。與CL一樣,RAS的數值越低越好。

RCD
這是前面提到的RAS-to-CAS Delay。由於列的資料會較常被存取,RCD的發生機率也較大,故對系統效能的影響很大。

RP
RP全名為「RAS Precharge」,是RAS的預充電時間。在電腦讀取記憶體區塊後,因為區塊的電量會降低至不足以維持資料的完整性,可能造成資料流失,故為了資料的完整性,電腦會將資料再寫回該區塊中。但要完成這個重寫的動作,記憶體需要2至3個時脈週期的預充電時間,是為Precharge。

Yellowstone (黃石)技術是Rambus最新的技術採用,擁有更高效能及低成本的優勢,頻寬最高可達10.6GB/s。它在2001年的RDF已經出現,是一種雙向異步的訊號技術,使用了由1.0V-1.2V訊號波動的Ultra-low 200mV的Differential Rambus Signaling Levels (DRSL),內置Termination功能,能以單一Rambus啟動電腦。它運作於ODR (Octal Data Rates)頻率以上,能以每一個時鐘周期作8bits資料傳送。

 
推荐度:1 (0: 未評級;3:極度推荐)

上次更新日期2006-10-11

 

 

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